碳化硅半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供一种包括如下所述的工序的碳化硅半导体元件的制造方法，即：向在具有第1及第2主面的碳化硅基板1的所述第1主面上形成的碳化硅层(2)的至少一部分中注入杂质离子(3)，形成杂质掺杂区域的工序(A)；在所述碳化硅层(2)的至少上面(2a)及所述碳化硅基板(1)的至少第2主面(12a)上形成具有耐热性的帽层(6)的工序(B)；和以规定的温度加热所述碳化硅层(2)，进行活化退火处理的工序(C)。

主权项

一种碳化硅半导体元件的制造方法，包括：工序(A)，其中，向在具有第1及第2主面的碳化硅基板的所述第1主面上形成的碳化硅层的至少一部分注入杂质离子，形成杂质掺杂区域；工序(B)，其中，在所述碳化硅层的至少上面及所述碳化硅基板的至少第2主面，形成帽层；和工序(C)，其中，以规定的温度对所述碳化硅层进行加热，进行活化退火处理，所述帽层由结晶性碳膜、无定形碳膜或有机膜形成。