太阳能级CZ硅单晶控制热施主工艺

摘要

一种太阳能级CZ单晶硅热施主的控制工艺，本工艺解决的技术问题是控制CZ硅单晶头部的热施主浓度，较少或杜绝需退火处理的硅片。工艺主要步骤一、装料、化料、吊渣、掺杂或预掺；二、挥发；三、引晶、放肩、转肩、等径、收尾；四、收尾，提断，升晶体，降温。本发明与现有行业工艺相比，可将热施主浓度下降60-75％，有效减少需退火硅片，降低成本，提高质量。

主权项

一种太阳能级CZ单晶硅热施主的控制工艺，其特征在于由以下步骤组成：一、装料、化料：化料时调整最高化料功率，使最高化料功率比等径3小时后的功率≤8∶5、吊渣、掺杂或预掺；三、挥发：挥发功率高于引晶功率3‑5KW，气压＜800Pa，埚转＜5r/min，导流筒离液面高度＜5cm，时间为3‑5小时；四、引晶、放肩：时间在2.5‑3.5小时、转肩：生长速度小于1.2mm/min、等径：等径起始拉速为1.1‑1.2mm/min；五、收尾、取棒；六、硅棒取出后，风扇冷却头部，石墨系统冷却5小时方可拆炉，拆炉时的温度应低于350度。