发明名称 层叠型陶瓷电子元器件及其制造方法
摘要 在多层陶瓷基板的表层部形成有包含Ag的导体图案、该Ag在烧成时扩散的情况下,表面上的导体图案之间容易形成Ag的迁移路径,可靠性下降。为获得将要被烧成的未烧成的陶瓷层叠体(12),将第一陶瓷生坯层(1a)配置于表层部,将第二陶瓷生坯层(2a)配置于内层部,然后进行层叠,所述第一陶瓷生坯层(1a)具有包含Ag的第一导体图案(5)、(7)、(9),并且含有包含第一玻璃成分的第一陶瓷材料,所述第二陶瓷生坯层(2a)具有包含Ag作为主要成分的第二导体图案(6)、(8),并且含有包含第二玻璃成分的第二陶瓷材料,且具有与第一陶瓷生坯层(1a)相比在烧成时Ag更容易扩散的组成。将该未烧结陶瓷层叠体(12)烧成,获得多层陶瓷基板(14)。
申请公布号 CN101998779A 申请公布日期 2011.03.30
申请号 CN201010249806.6 申请日期 2010.08.04
申请人 株式会社村田制作所 发明人 近川修;池田哲也
分类号 H05K3/46(2006.01)I;H05K1/16(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I 主分类号 H05K3/46(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 冯雅;胡烨
主权项 一种层叠型陶瓷电子元器件的制造方法,其特征在于,包括:制作未烧结陶瓷层叠体的工序,所述未烧结陶瓷层叠体是将第一陶瓷生坯层和第二陶瓷生坯层层叠而成的层叠体,所述第一陶瓷生坯层具有包含Ag作为主要成分的第一导体图案,并且含有包含第一玻璃成分的第一陶瓷材料,所述第二陶瓷生坯层具有包含Ag作为主要成分的第二导体图案,并且含有包含第二玻璃成分的第二陶瓷材料,且具有与所述第一陶瓷生坯层相比在烧成时Ag更容易扩散的组成,所述未烧结陶瓷层叠体是在使所述第一导体图案的至少一部分暴露于表面的同时沿着两主面分别配置所述第一陶瓷生坯层而得的层叠体;以及将所述未烧结陶瓷层叠体烧成,藉此获得层叠型陶瓷电子元器件的工序。
地址 日本京都府