半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件及其制造方法，其中存储节点触点孔做成大的以解决在蚀刻小CD的存储节点触点孔期间所产生的任何问题，形成连接插塞来降低插塞电阻，并且在形成位线时省去SAC工序。根据本发明的制造半导体器件的方法包括：形成用于在半导体基板中限定多个有源区的器件隔离膜；在半导体基板中形成多根埋入式字线；形成使两个相邻有源区的存储节点触点区域露出的存储节点触点孔；用存储节点触点插塞材料填充存储节点触点孔；形成位线沟槽，该位线沟槽用于使有源区的位线触点区域露出并且将存储节点触点插塞材料分成两个部分；以及将位线埋入到位线沟槽内。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：形成器件隔离结构以在基板中限定多个有源区，所述多个有源区包括彼此相邻设置的第一有源区和第二有源区；在所述基板中形成多根埋入式字线，每根埋入式字线限定在形成于所述基板中的沟槽内；形成存储节点触点孔，所述存储节点触点孔在所述第一有源区和所述第二有源区上延伸；用存储节点触点插塞材料来填充所述存储节点触点孔；形成位线沟槽以将所述存储节点触点插塞材料分为第一存储节点触点插塞和第二存储节点触点插塞，所述第一存储节点触点插塞分配给所述第一有源区，并且所述第二存储节点触点插塞分配给所述第二有源区；以及在所述位线沟槽内形成位线。