发明名称 |
非易失性存储器件和系统及非易失性存储器件编程方法 |
摘要 |
一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括:对该MLC存储单元执行递增步长脉冲编程(ISPP)操作,其中该ISPP操作包括第一至第N页编程操作的编程序列,其中N是2或更大的整数。该编程序列还包括在第(N-1)页编程操作之后且在第N页编程操作之前执行的擦除编程,其中该擦除页编程增大该MLC存储单元当中的擦除单元的阈值电压分布。 |
申请公布号 |
CN101996681A |
申请公布日期 |
2011.03.30 |
申请号 |
CN201010260571.0 |
申请日期 |
2010.08.24 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
姜东求;金亨埈 |
分类号 |
G11C16/02(2006.01)I;G11C16/14(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
钱大勇 |
主权项 |
一种对包括N比特多电平单元MLC存储单元的非易失性存储器编程的方法,所述方法包括:对该MLC存储单元执行递增步长脉冲编程ISPP操作,其中该ISPP操作包括第一至第N页编程操作的编程序列,其中N是2或更大的整数,其中该编程序列还包括在第(N‑1)页编程操作之后且在第N页编程操作之前执行的擦除编程,其中该擦除页编程增大该MLC存储单元当中的擦除单元的阈值电压分布。 |
地址 |
韩国京畿道 |