| 发明名称 | 刻蚀方法以及形成浅沟槽隔离结构的方法 | ||
| 摘要 | 一种刻蚀方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底表面形成图形化的刻蚀阻挡层；以及采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述单晶硅衬底中未被图形化的刻蚀阻挡层覆盖的区域。所述刻蚀单晶硅衬底的步骤进一步包括：采用第一刻蚀气体形成的等离子体对单晶硅衬底进行第一次刻蚀；以及采用第二刻蚀气体形成的等离子体对单晶硅衬底进行第二次刻蚀。所述第一刻蚀气体的刻蚀均匀性高于第二刻蚀气体，而第二刻蚀气体形成倾斜侧壁的能力优于第一刻蚀气体本发明的优点在于，采用了两次刻蚀以在单晶硅衬底表面形成具有倾斜侧壁的沟槽，并保证其深度的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101996877A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN200910056453.5 | 申请日期 | 2009.08.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 韩秋华;王新鹏;符雅丽 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底表面形成图形化的刻蚀阻挡层；以及采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述单晶硅衬底中未被图形化的刻蚀阻挡层覆盖的区域；其特征在于，所述刻蚀单晶硅衬底的步骤进一步包括：采用第一刻蚀气体形成的等离子体对单晶硅衬底进行第一次刻蚀，所述第一刻蚀气体能够在单晶硅衬底中形成深度均匀的沟槽；以及采用第二刻蚀气体形成的等离子体对单晶硅衬底进行第二次刻蚀，所述第二刻蚀气体能够在单晶硅衬底中形成具有倾斜侧壁的沟槽。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江路18号 | ||