| 发明名称 | 一种Ce<sup>3+</sup>掺杂硅酸镥(Lu<sub>2</sub>SiO<sub>5</sub>)多晶闪烁光学陶瓷的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及采用一种放电等离子烧结技术(Sparkplasmasintering)实现Ce3+掺杂硅酸镥(Lu2SiO5)多晶闪烁光学陶瓷快速制备的方法，属稀土掺杂多晶闪烁陶瓷制备技术领域。本发明的特点是：以氯化镥(LuCl3)和正硅酸乙酯（Si(C2H5O)4）为起始原料，经适当的Sol-gel过程反应得到Ce:Lu2SiO5前驱沉淀物，随后在900-1300℃空气氛下进行煅烧合成，并在该温度下保温1~10小时，最终得到一次颗粒80~100纳米的单相Ce:Lu2SiO5发光粉体。采用放电等离子烧结(SparkPlasmaSintering)技术致密化方法，在较低的烧结温度(1350~1450℃下)快速完成致密化过程，保温时间为3~15分钟，得Ce:Lu2SiO5多晶陶瓷，再经1000℃空气气氛下（2~15小时）退火后，得到相对密度99.50％的半透明光学陶瓷，陶瓷的发光性能优良。 | ||
| 申请公布号 | CN101993240A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN201010536133.2 | 申请日期 | 2010.11.09 |
| 申请人 | 上海大学 | 发明人 | 施鹰;林挺;邓莲芸;任玉英;谢建军 |
| 分类号 | C04B35/16(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人 | 顾勇华 |
| 主权项 | 一种Ce3+掺杂硅酸镥多晶闪烁光学陶瓷。其特征在于具有以下的化学分子式： (Lu1‑xCex)2SiO5，其中，x为掺杂稀土Ce离子的摩尔含量，x=0.001~0.05。 | ||
| 地址 | 200444 上海市宝山区上大路99号 | ||