用于电镀工艺的晶片支撑装置和使用该装置的方法

摘要

本发明提供了一种用于在半导体晶片(“晶片”)上执行电镀工艺的多层晶片支撑装置。这种多层晶片支撑装置包括底薄膜层和顶薄膜层。底薄膜层包括晶片放置区域和包围晶片放置区域的牺牲阳极。顶薄膜层被限定成放置在底薄膜层之上。顶薄膜层包括定位在待处理，即待电镀晶片的表面之上的敞开区域。顶薄膜层提供了在顶薄膜层和晶片之间围绕敞开区域的周边设置的液封。顶薄膜层还包括第一电路和第二电路，它们各自被限定围绕晶片在沿直径相对的位置上与晶片的周边顶面形成电接触。

主权项

一种用于电镀工艺中的多层晶片处理系统，其包括：底薄膜层，其包括晶片放置区域和包围所述晶片放置区域的牺牲阳极；和被限定成将放置在所述底薄膜层之上的顶薄膜层，所述顶薄膜层包括定位在待处理晶片表面之上的敞开区域，所述顶薄膜层被限定成在所述顶薄膜层和待处理晶片之间围绕所述敞开区域的周边提供液封，所述顶薄膜层包括第一电路和第二电路，所述第一电路和第二电路被限定成在沿直径相对位置与待处理晶片的周边顶面形成电接触。