发明名称 | 运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法 | ||
摘要 | 本发明是关于一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法,其于晶圆片的全部P极与N极接触点覆盖遮蔽形成一由亲水性树酯材料所构成的遮蔽层,进而于晶圆片封装设有一含有黄色(或以红色与绿色混合)荧光粉的高分子无机或有机化合物质层,再通过水洗制造工艺将该亲水性树酯材料的遮蔽层除去,使P极与N极接触点可呈裸露,因此于通过切割与焊接金线等制造工艺后,即可形成一白光的发光二极管,运用此项水洗制造工艺,因P、N极接触点均呈裸露,故散热性佳,使用寿命更长,且金线不会断裂,并可避免出现光晕现象。 | ||
申请公布号 | CN101442091B | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
申请号 | CN200710188788.3 | 申请日期 | 2007.11.20 |
申请人 | 优利科技股份有限公司 | 发明人 | 许西岳 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 任默闻 |
主权项 | 一种运用水洗处理制造氮化镓或其它类发光二极管的方法,其特征在于,所述的方法包括以下步骤:将晶圆片上的全部P极与N极接触点,以亲水性树酯材料覆盖遮蔽而形成一遮蔽层,进而于晶圆片表面封装设有一含有荧光粉的高分子无机或有机化合物质层,再通过水洗制造工艺而将亲水性树酯材料的遮蔽层除去,使P极与N极接触点呈裸露,以供进行切割与焊接金线后续制造工艺,而形成一发光二极管。 | ||
地址 | 中国台湾台北县 |