发明名称 |
像素结构及其制造方法 |
摘要 |
一种像素结构的制造方法。首先,提供一具有多个像素区域的基板。接着,于基板上形成共享电极,其环绕于各像素区域的周围。然后,于共享电极上形成储存电容电极。继之,形成第一保护层,覆盖储存电容电极与共享电极。再来,于各像素区域中形成扫描线以与栅极。接着,形成栅绝缘层以与栅绝缘层上的半导体层。再来,于各像素区域中形成数据线、源极与漏极。接着,于基板上形成第二保护层,并于漏极上方的第二保护层中形成接触窗开口。然后,于各像素区域中形成像素电极,而像素电极是藉由接触窗开口与漏极电性连接。 |
申请公布号 |
CN101995716A |
申请公布日期 |
2011.03.30 |
申请号 |
CN200910166332.6 |
申请日期 |
2009.08.24 |
申请人 |
华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
发明人 |
刘梦骐 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
孙长龙 |
主权项 |
一种像素结构的制造方法,其特征在于,包括:(A)提供一基板,具有阵列排列的多个像素区域;(B)于该基板上形成一共享电极,环绕于各该像素区域的周围;(C)于该共享电极上形成一储存电容电极;(D)形成一第一保护层,覆盖该储存电容电极与该共享电极;(E)于各该像素区域中形成一扫描线以及一栅极;(F)形成一栅绝缘层,覆盖该扫描线及该栅极;(G)于该栅极上方的该栅绝缘层上形成一半导体层;(H)于各该像素区域中形成一数据线、一源极与一漏极,而该源极与该漏极形成于该半导体层的两侧;(I)于该基板上形成一第二保护层,覆盖该数据线、该源极与该漏极;(J)于该漏极上方的该第二保护层中形成一接触窗开口,而曝露出该漏极;以及(K)于各该像素区域中形成一像素电极,该像素电极是藉由该接触窗开口与该漏极电性连接。 |
地址 |
215217 江苏省苏州市吴江经济开发区同里分区江兴东路88号 |