TFT-LCD阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。制造方法包括：在基板上沉积栅金属薄膜，形成包括栅电极、栅线和栅极引线的图形；沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜、透明导电薄膜和源漏金属薄膜，形成包括有源层、数据线、数据引线、源电极、漏电极和像素电极的图形。本发明首先通过第一次工艺形成包括栅线和栅电极的图形，然后采用第二次工艺形成包括有源层、数据线、源电极、漏电极和像素电极的图形，通过二次工艺实现TFT-LCD阵列基板的制备，有效缩短了生产周期，降低了生产成本，不仅可提高产能，而且提高了生产质量。

主权项

一种TFT‑LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，形成包括栅电极、栅线和栅极引线的图形；步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜、透明导电薄膜和源漏金属薄膜，形成包括有源层、数据线、数据引线、源电极、漏电极和像素电极的图形。