等离子体处理设备与方法

摘要

本发明大致包括等离子体增强化学汽相沉积处理腔室，其具有在与气源分隔位置处耦接至背板的RF功率源。通过在与RF功率分隔位置处供给气体进入处理腔室，可减少通到处理腔室的气体管中形成寄生等离子体。可在复数个位置供给气体至腔室。各个位置上，气源经过远端等离子体源以及RF扼流器或RF电阻器而供给气体至处理腔室。

主权项

一种等离子体处理设备，其至少包括：处理腔室，具有气体分配喷头与大致矩形背板；一或多个功率源，在一或多个第一位置耦接至该背板；及一或多个气源，在三个其他位置耦接至该背板，该三个其他位置各自与该一或多个第一位置分隔，其中该三个位置之一置于第二位置，该第二位置与该背板的两个平行侧边之间有实质相等距离。