垂直式非易失性存储器及其制造方法

摘要

一种垂直式非易失性存储器的制造方法，是先于一个衬底上依序形成第一半导体层、第一阻挡物、第二半导体层、第二阻挡物和第三半导体层，其中第一和第三半导体层具第一导电态，第二半导体层具第二导电态。之后，去除衬底上部分的第三半导体层、第二阻挡物、第二半导体层、第一阻挡物与第一半导体层，以形成数条主动迭层结构，再于衬底上形成储存结构。接着，于衬底上形成覆盖储存结构并填满主动迭层结构之间的空间的导电层，再去除部分的导电层，以形成数条横跨主动迭层结构的字线。

主权项

一种垂直式非易失性存储器，其特征在于，包括：一衬底；多个主动迭层结构，位于该衬底上朝一第一方向平行排列，其中每一该主动迭层结构包括：一第一半导体层，位于该衬底上，该第一半导体层具有一第一导电态；一第二半导体层，位于该第一半导体层上，该第二半导体层具有一第二导电态；一第三半导体层，位于该第二半导体层上，该第三半导体层具有该第一导电态；一第一阻挡物，位于该第一半导体层与该第二半导体层之间；以及一第二阻挡物，位于该第二半导体层与该第三半导体层之间；多个字线，朝一第二方向平行排列，其中每一字线横跨所述多个主动迭层结构并填满所述多个主动迭层结构之间的空间；以及一储存结构，位于所述多个字线与所述多个主动迭层结构之间。