具有环绕栅极的纳米线晶体管及其制造方法

摘要

本发明主题的一个方面涉及一种用于形成晶体管的方法。根据所述方法的实施例，在结晶衬底上形成非晶半导体材料柱，且执行固相外延工艺以使用所述结晶衬底作为晶体生长的晶种来使所述非晶半导体材料结晶。所述柱具有亚光刻厚度。在所述结晶半导体柱中在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间形成晶体管主体。在所述半导体柱周围形成环绕栅极绝缘体，且在所述半导体柱周围形成环绕栅极并通过所述环绕栅极绝缘体使其与所述半导体柱分离。本文中提供其它方面。

主权项

一种用于形成晶体管的方法，其包含：形成晶体管主体，其包括：在结晶衬底上形成由非晶半导体材料制成的柱，所述柱具有亚光刻厚度；以及执行固相外延工艺以使用所述结晶衬底作为晶体生长的晶种来使所述非晶半导体材料结晶以形成结晶半导体柱，所述晶体管主体形成在所述结晶半导体柱中，位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；在所述半导体柱周围形成环绕栅极绝缘体；以及在所述半导体柱周围形成环绕栅极，且通过所述环绕栅极绝缘体使其与所述半导体柱分离。