发明名称 |
一种线性响应巨磁电阻效应多层膜 |
摘要 |
本发明提供一种线性响应巨磁效应多层膜,该多层膜主要用作为巨磁电阻传感器的核心部件。该多层膜的特点在于其自由层为复合自由层,它在具有垂直耦合的多层膜“反铁磁偏置层/铁磁层/反铁磁间隔层/铁磁自由层”或者其反结构中“反铁磁间隔层”的上下两界面的任一处或两处插入一定厚度范围的非磁的“调控间隔层”。“调控间隔层”的插入可以很好地起到优化“铁磁自由层”线性度、大大降低其矫顽力的作用;此外,本发明通过改变“调控间隔层”的厚度可以调控“铁磁自由层”和“铁磁层”的垂直耦合强度从而调控“铁磁自由层”在垂直“铁磁层”钉扎方向的各向异性场的大小,亦即巨磁电阻传感器的磁场线性响应范围。 |
申请公布号 |
CN101996734A |
申请公布日期 |
2011.03.30 |
申请号 |
CN200910091793.1 |
申请日期 |
2009.08.25 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
刘涛;蔡建旺 |
分类号 |
H01F10/32(2006.01)I;H01F10/26(2006.01)I;H01F10/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01F10/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
王勇 |
主权项 |
一种线性响应巨磁电阻效应多层膜,所述巨磁电阻效应多层膜采用底钉扎结构,所述巨磁电阻效应多层膜包括复合自由层,所述复合自由层包括:依次生长的反铁磁偏置层、铁磁层和铁磁自由层;其特征在于,所述复合自由层还包括反铁磁间隔层和调控间隔层,所述反铁磁间隔层和调控间隔层均位于铁磁层和铁磁自由层之间;所述调控间隔层的制作材料为非磁材料,单层所述调控间隔层的厚度为0.1nm‑5nm。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |