| 发明名称 | 在沟槽底部形成通孔的方法 | ||
| 摘要 | 一种在沟槽底部形成通孔的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；于所述半导体衬底上形成一介质层，所述介质层中具有沟槽；在介质层的表面形成抗反射层，所述抗反射层覆盖沟槽底部和侧壁；在抗反射层表面形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀抗反射层和介质层。本发明的优点在于，在形成光刻胶层之前，首先在沟槽底部形成一层抗反射层，目的在于降低沟槽表面对光的反射，使光刻胶能够吸收更多的能量，保证沟槽中的光刻胶能够充分曝光，进而保证能够在沟槽的底部通过刻蚀工艺形成通孔。 | ||
| 申请公布号 | CN101996925A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN200910056454.X | 申请日期 | 2009.08.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王新鹏;黄怡;尹晓明;沈满华 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种在沟槽底部形成通孔的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；于所述半导体衬底上形成一介质层，所述介质层中具有沟槽；在介质层的表面形成抗反射层，所述抗反射层覆盖沟槽底部和侧壁；在抗反射层表面形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀抗反射层和介质层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江路18号 | ||