太阳能电池的氮化势垒层

摘要

本发明有关于多晶硅发射极太阳能电池，并且更明确地说，有关于具有超突变结的多晶硅发射极太阳能电池，及制造此种太阳能电池的方法。根据一态样，根据本发明的多晶硅发射极太阳能电池包含氮化的隧道绝缘体。该氮化防止硼扩散，赋予n型硅器件上的p型多晶硅以超突变结。根据另一态样，在MIS太阳能电池结构的隧道氧化层内使用氮化的氧化物(DPN)。该DPN层最小化等离子体损伤，造成改善的界面性质。于是上覆的多晶硅发射极可提供低薄层电阻发射极，而不会在该衬底内有重掺杂效应、过量复合、或吸收，并且较传统扩散的发射极或TCO(透明导电氧化物)有显著改善。根据另一态样，本发明包含一种制造太阳能电池结构的方法，其功能与选择性发射极相同，但不需要多重扩散、长途扩散、对准光刻技术或精细的接触孔。

主权项

一种太阳能电池，其至少包含：衬底；隧道电介质，其经氮化形成在该衬底上，以及掺杂的多晶硅层，形成在该氮化的隧道电介质上。