| 发明名称 | 一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺 | ||
| 摘要 | 本发明属于晶硅太阳能电池的制作领域，具体涉及一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺。该发明采用在印刷区域镭射掺杂的方法，实现选择性发射极太阳能电池的制备，其工序包括，高方阻扩散，印刷区域镭射掺杂，磷硅玻璃去除，在进行激光镭射前不需要喷涂或旋涂任何磷源，能降低选择性发射极晶体硅太阳能电池制作的成本。与其他选择性扩散工艺相比，具有工艺简单，成本低，易于工业化生产的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN101997060A | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN201010516839.2 | 申请日期 | 2010.10.25 |
| 申请人 | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 | 发明人 | 程亮;刘鹏;姜言森;李玉花;徐振华;张春燕;任现坤;王兆光;杨青天 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人 | 宋玉霞 |
| 主权项 | 一种晶体硅太阳能电池的选择性扩散工艺，其特征在于，包含以下工艺步骤：高方阻扩散，印刷区域镭射掺杂，磷硅玻璃去除。 | ||
| 地址 | 山东省济南市经十东路30766号力诺科技园力诺太阳能电力股份有限公司 | ||