半导体晶粒检测脱离结构

摘要

一种半导体晶粒检测脱离结构，是将半导体晶粒黏附在软性薄膜上，并通过检测单元予以检测，当确认有不良品的半导体晶粒时，利用软性薄膜底侧的顶针单元予以顶出，使其与软性薄膜的间的接触面积减小，然后，通过上方的黏性薄膜予以黏附固定而完全脱离软性薄膜，因此无须将软性薄膜予以戳破，从而可大幅降低制造成本。

主权项

一种半导体晶粒检测脱离结构，其特征在于，包含有：一软性薄膜，具有相对的一第一表面与一第二表面，该第一表面提供多个半导体晶粒黏附在其上；至少一检测单元，设置在该软性薄膜的该第一表面一侧，用以针对该半导体晶粒进行检测；一光源，提供该检测单元进行检测所需的光线；一顶针单元，设置在该软性薄膜的该第二表面一侧，当该检测单元确认其中的一该半导体晶粒为不良品时，通过该顶针单元将该不良品的半导体晶粒予以顶出，使其脱离该软性薄膜；以及一黏性薄膜，设置在该软性薄膜的该第一表面一侧，当该顶针单元将该不良品的半导体晶粒顶出时，将其予以黏附而使该不良品的半导体晶粒完全脱离该软性薄膜。