| 发明名称 | 贴合晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有薄的BOX氧化膜的高品质SOI晶片和高品质的DSB晶片。一种贴合晶片的制造方法，该方法包括：在基底晶片的至少一面上形成氧化膜的氧化工序，将形成前述氧化膜的基底晶片和顶端晶片贴合的贴合工序，以及将前述贴合的晶片中的顶端晶片薄膜化的薄膜化工序。前述氧化工序包括将前述基底晶片在氧化气氛下、以1～300℃/分钟的升温速度，加热到800～1300℃范围的温度，前述贴合工序是在2片晶片的界面上进行设置前述氧化工序中形成的氧化膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101241835B | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
| 申请号 | CN200710195766.X | 申请日期 | 2007.12.14 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 奥田秀彦;草场辰己;远藤昭彦 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人 | 耿小强 |
| 主权项 | 一种贴合晶片的制造方法，该方法包括：在基底晶片的至少一面上形成氧化膜的氧化工序，将形成前述氧化膜的基底晶片和顶端晶片贴合的贴合工序，以及将前述贴合的晶片中的顶端晶片薄膜化的薄膜化工序；其中，前述氧化工序包括将前述基底晶片在氧化气氛下，其氧浓度为10‑100％，以1～300℃/秒的升温速度，加热到800～1300℃的温度，在加热温度下保持1～3分钟，以50～100℃/秒的降温速度降温，前述贴合工序在2片晶片的界面上进行设置前述氧化工序中形成的氧化膜，所述氧化工序是在灯式快速加热炉内进行的。 | ||
| 地址 | 日本东京都港区 | ||