发明名称 | 带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜 | ||
摘要 | 本发明涉及一种带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜,包括基底,和依次沉积在基底上的第一保护层、氧化物掩模层、第二保护层、第一金属薄膜和第二金属薄膜;所述的第一金属薄膜和第二金属薄膜,是两种金属在相对较低温度≤500℃下,能形成二元合金的材料的组合;所述的第一保护层厚度为100nm—200nm,所述的掩模层厚度为2nm—30nm,所述的第二保护层厚度为10nm—50nm。本发明的带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜,采用超分辨近场结构和无机热阻膜结合的多层膜结构。在微纳米加工过程中,采用此多层膜结构制作光刻原片,利用普通曝光系统或直写式曝光系统实现曝光,能够简单获得高分辨率的曝光图形。能够在简单地获得高分辨率曝光图形的同时,有效增加纳米构造的高度。 | ||
申请公布号 | CN101286005B | 申请公布日期 | 2011.03.30 |
申请号 | CN200710065294.6 | 申请日期 | 2007.04.10 |
申请人 | 国家纳米科学中心 | 发明人 | 刘前;曹四海;郭传飞;李晓军 |
分类号 | G03F7/004(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/004(2006.01)I |
代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人 | 高存秀 |
主权项 | 一种带有氧化物掩模的局域微缩光刻膜,包括基底(1),和依次溅射沉积在基底(1)上的第一保护层(9)、氧化物掩模层(8)和第二保护层(7);其特征在于:还包括第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B);该第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B)顺序生长在第二保护层(7)上,所述的第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B)是能在温度≤500℃下,一起形成二元合金的金属材料;所述的第一金属薄膜(A)和第二金属薄膜(B)的厚度分别为5nm‑100nm。 | ||
地址 | 100080 北京市中关村北一街2号 |