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Un procedimiento para fabricar un dispositivo optoelectrónico fotosensible (100, 300) que comprende: la deposición de un material semiconductor orgánico sobre un primer electrodo (920) para formar una primera capa continua (951) que tiene protrusiones (948), teniendo un lado de la primera capa (951) opuesto al primer electrodo (920) un área superficial al menos tres veces mayor que un área de sección de corte lateral subyacente; la deposición de un segundo material semiconductor orgánico directamente sobre la primera capa (951) para formar una segunda capa discontinua (952a), permaneciendo expuestas partes de la primera capa (951); la deposición de un tercer material semiconductor orgánico directamente sobre la segunda capa (952a) para formar una tercera capa discontinua (953a), permaneciendo expuestas partes de al menos la segunda capa (952a). la deposición de un cuarto material semiconductor orgánico sobre la tercera capa para formar una cuarta capa discontinua (952b), llenado cualquier hueco y espacio vacío y expuesto de la primera (951), de la segunda (952a) y de la tercera (953a) capas, y la deposición de un segundo electrodo (970) sobre la cuarta capa (952b), en el que al menos uno de entre el primer electrodo (920) y el segundo electrodo (970) es transparente, y el primer y el tercer material semiconductor orgánico son de un tipo donante (152, 252) o de un tipo aceptor (154, 254) con relación al segundo y cuarto materiales semiconductores orgánicos que son del otro tipo de material.
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