SEMICONDUCTOR STRUCTURE

摘要

Eine Halbleiterstruktur (110) umfasst eine Barriereschicht (110), eine Abstandshalterstruktur (120) und eine Kanalschicht (130). Die Barriereschicht (110) weist ein Gruppe-III-Nitrid auf. Die Abstandshalterstruktur (120) umfasst eine erste Aluminiumnitridschicht (122), eine Zwischenschicht (124) und eine zweite Aluminiumnitridschicht (126). Die Zwischenschicht (124) weist ein Gruppe-III-Nitrid auf und ist zwischen der ersten Aluminiumnitridschicht (122) und der zweiten Aluminiumnitridschicht (126) angeordnet. Des Weiteren weist die Zwischenschicht (124) an einer Grenzfläche zu der zweiten Aluminiumnitridschicht (126) eine erste freie Ladungsträgerdichte auf. Die Abstandshalterstruktur (120) ist zwischen der Barriereschicht (110) und der Kanalschicht (130) angeordnet. Die Kanalschicht (130) weist ein Gruppe-III-Nitrid auf und weist an einer Grenzfläche zu der ersten Aluminiumnitridschicht (122) der Abstandshalterstruktur (120) eine zweite freie Ladungsträgerdichte auf. Die erste Aluminiumnitridschicht (122), die Zwischenschicht (124) und die zweite Aluminiumnitridschicht (126) weisen Schichtdicken auf, so dass die erste freie Ladungsträgerdichte kleiner als 10 % der zweiten freien Ladungsträgerdichte ist.