| 摘要 |
<p>Bei der Maskeninspektion sind Defekte zu erkennen, die auch bei der Waferbelichtung auftreten. Deshalb müssen die im Resist und auf dem Detektor erzeugten Luftbilder möglichst identisch sein. Um eine äquivalente Bilderzeugung zu erreichen, werden bei der Maskeninspektion die Beleuchtung und objektseitig die numerische Apertur dem verwendeten Scanner angepasst. Die Erfindung betrifft ein Maskeninspektionsmikroskop zur variablen Einstellung der Beleuchtung. Es dient zur Erzeugung eines Bildes der Struktur (150) eines in einer Objektebene angeordneten Retikels (145) in einer Feldebene des Maskeninspektionsmikroskops. Es weist eine Projektionslicht emittierende Lichtquelle (5), zumindest einen Beleuchtungsstrahlengang (3, 87, 88) und eine Blende zur Erzeugung einer resultierenden Intensitätsverteilung des Projektionslichts in einer zur Objektebene optisch konjugierten Pupillenebene (135) des Beleuchtungsstrahlengangs (3, 87, 88) auf. Erfindungsgemäß ist die Blende derart ausgebildet, dass die resultierende Intensitätsverteilung des Projektionslichts zwischen einem minimalen und einem maximalen Intensitätswert zumindest einen weiteren Intensitätswert aufweist.</p> |
