SEMI-POLAR, WURTZITE-TYPE, GROUP III NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR LAYERS AND SEMICONDUCTOR COMPONENTS BASED THEREON

摘要

Gruppe-III-Nitridschichten haben einen großen Einsatzbereich in der Elektronik und der Optoelektronik. Das Wachstum solcher Schichten erfolgt in der Regel auf Substraten wie Saphir, SiC und neuerdings Si(111). Die dabei erzielten Schichten sind in der Regel in Wachstumsrichtung polar bzw. c-achsenorientiert. Für viele Anwendungen in der Optoelektronik, aber auch akustischen Anwendungen in SAWs ist das Wachstum von un- oder semipolaren Gruppe-III-Nitridschichten interessant bzw. notwendig. Das Verfahren ermöglicht das einfache und preiswerte Wachstum von polarisationsreduzierten Gruppe-III-Nitridschichten ohne eine vorherige Strukturierung des Substrats.