发明名称 具有多上炉室的晶柱成长装置
摘要 本实用新型是一种具有多上炉室的晶柱成长装置,该装置其包括:一底座、一下炉室、一升降回旋装置、及至少二上炉室。该上炉室是具有一拉晶机可执行晶柱成长工艺,且,当该上炉室完成晶柱成长工艺并等待晶柱冷却的同时,可使用另一上炉室以继续下一段晶柱成长工艺,是能够有效地利用等待晶柱冷却的时间,而提升晶柱成长装置的生产效率与能源使用效率。
申请公布号 CN201770799U 申请公布日期 2011.03.23
申请号 CN201020250277.7 申请日期 2010.06.30
申请人 均豪精密工业股份有限公司 发明人 王克尧;赖宏能;陆苏龙;林延璋;姜智元;颜宪瑞;周汉章;薄瑞斯
分类号 C30B15/00(2006.01)I 主分类号 C30B15/00(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁;张华辉
主权项 一种具有多上炉室的晶柱成长装置,其特征在于包括:一底座;一下炉室,是设置于该底座之上,该下炉室内部设置有一坩埚,该坩埚内具有一熔融液,该熔融液可成长为一晶柱;一升降回旋装置,是装设于底座之上,该升降回旋装置是包括:一支撑架,是设置于底座之上,以作为升降回旋装置的主体;至少一支撑柱,是装设于该支撑架的一壁面,该支撑柱是作为升降回旋装置的回旋轴;至少二支撑回旋机构,是枢接于支撑柱之上,该支撑回旋机构是能够以支撑柱为回旋轴而往返回旋;及至少二升降机构,是设置于支撑架内部,并由支撑架内部向外延伸以枢接于支撑柱,借由该升降机构,可使得支撑回旋机构在支撑柱之上升降。
地址 中国台湾新竹县科学园区创新一路5-1号