| 发明名称 | 一种可减少基片背面聚合物的结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可减少基片背面聚合物沉积的结构，其设置在等离子体处理室中，包含围绕设置于基座外周侧的聚焦环，该聚焦环具有一延伸部，其至少部分地延伸至基片背面的边缘之下；以及设置于基片的背面之下并且介于所述基座的外周侧及所述聚焦环的延伸部之间的导体环。本发明通过插入的导体环限制基片背面处的温度，从而限制因高温使得聚焦环上的碳化物热裂解并在基片背面形成聚合物，在有效减少基片背面聚合物的同时，保证基片蚀刻的均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN101989544A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200910056087.3 | 申请日期 | 2009.08.07 |
| 申请人 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 倪图强;孟双;徐朝阳 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;C30B33/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人 | 朱九皋 |
| 主权项 | 一种可减少基片背面聚合物的结构，其围绕设置于一等离子体处理室中的基片(2)的基座(1)的外周侧，所述基片(2)的边缘突出于所述的基座(1)的上表面(102)的边缘，特征在于，所述的减少基片背面聚合物的结构包含：一聚焦环(12)，其围绕设置于所述基座(1)的外周侧；该聚焦环(12)具有一延伸部(123)，其至少部分地延伸至基片(2)背面的边缘之下；以及一导体环(13)，其设置于基片(2)的背面之下，并且介于所述基座(1)的外周侧及所述聚焦环(12)的延伸部(123)之间。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东金桥出口加工区(南区)泰华路188号 | ||