| 发明名称 | 磁传感器层叠体、成膜方法、成膜控制程序以及记录介质 | ||
| 摘要 | 提供一种磁传感器层叠体、成膜方法、成膜控制程序以及记录介质，使磁阻元件的相对的两个接合壁面附近的磁性层的结晶c轴对齐于与接合壁面大致垂直的方向。磁传感器层叠体(1)在衬底(31)上具有磁阻元件(10)和场区域(22)，该磁阻元件(10)通过被施加偏置磁场而电阻变动，该场区域(22)在磁阻元件(10)的相对的接合壁面(10a、10b)的侧方包含对元件(10)施加偏置磁场的磁性层(22a、22b)，磁阻元件10至少在反铁磁性层(13)上的一部分具备铁磁性堆栈(18)，沿着接合壁面(10a、10b)相对的方向的铁磁性堆栈(18)最上表面的宽度(WF)被形成为小于沿着相同方向的反铁磁性层(13)的最上表面的宽度(WA)。 | ||
| 申请公布号 | CN101989643A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN201010250345.4 | 申请日期 | 2010.08.04 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉;末永真宽;太田吉则;远藤彻哉 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G11B5/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种磁传感器层叠体，其特征在于，在衬底上具有磁阻元件和场区域，该磁阻元件通过被施加偏置磁场而电阻变动，该场区域在上述磁阻元件相对的接合壁面的侧方包含对上述磁阻元件施加偏置磁场的磁性层，上述磁阻元件至少在反铁磁性层上的一部分具备铁磁性堆栈，沿着上述接合壁面相对的方向的上述铁磁性堆栈最上表面的宽度被形成为小于沿着上述接合壁面相对的方向的上述反铁磁性层的最上表面的宽度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||