| 发明名称 | 半导体发光装置制造方法 | ||
| 摘要 | 根据一个实施方式，一种半导体发光装置制造方法包括在基板主表面上形成分离沟槽。包括发光层的半导体层被形成在基板上。分离沟槽将半导体层分离为多个元件。该方法包括在基板主表面上形成绝缘膜。绝缘膜覆盖半导体层和位于基板上的分离沟槽底表面。该方法包括通过从与主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分开。激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。 | ||
| 申请公布号 | CN101989573A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN201010243804.6 | 申请日期 | 2010.08.02 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 滨崎浩史;小岛章弘;杉崎吉昭 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;H01L33/20(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 蔡胜利 |
| 主权项 | 一种半导体发光装置制造方法，包括：在形成有包括发光层的半导体层的基板主表面上形成分离沟槽，分离沟槽将半导体层分隔为多个元件；在基板主表面上形成绝缘膜，绝缘膜覆盖半导体层并且覆盖所述分离沟槽的位于基板上的底表面；以及通过从与所述主表面相反的基板表面用激光照射半导体层而将基板从半导体层分离，激光照射区域的边缘部分靠近与分离沟槽邻接的半导体层边缘部分定位。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||