| 发明名称 | 用于测量场效应晶体管的栅极隧穿泄漏参数的方法和结构 | ||
| 摘要 | 一种用于测量泄漏电流的结构(100)和方法。所述结构包括：在半导体衬底(175)中形成的体(105)；在所述硅体(105)的顶表面上的介质层(125/130)；以及在所述介质层(125/130)的顶表面上的导电层(110)，所述介质层(125/130)的第一区域具有第一厚度(T1)以及在所述导电层(110)与所述体(105)的所述顶表面之间的所述介质层(125/130)的第二区域具有第二厚度(T2)，所述第二厚度(T2)与所述第一厚度(T1)不同，其中所述硅体与所述导电层电隔离。所述方法包括，提供具有不同的第一介质区域(125/130)的面积和相同的第二介质区域(125/130)的面积或具有相同的第一介质区域(125/130)的面积和不同的第二介质区域(125/130)的面积的两个上述结构(100)，对于每一个结构(100)测量在所述导电层(110)与所述体(105)之间的电流并基于所述两个器件的所述电流测量和介质层(125/130)面积计算栅极隧穿泄漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101427378B | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200680015718.1 | 申请日期 | 2006.05.09 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | E·J·诺瓦克;罗明姬 |
| 分类号 | H01L29/00(2006.01)I;H01L29/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 一种测量泄漏电流的结构，包括：硅体，形成在半导体衬底中；介质层，在所述硅体的顶表面上；以及导电层，在所述介质层的顶表面上，在所述导电层与所述硅体的所述顶表面之间的所述介质层的第一区域具有第一厚度以及在所述导电层与所述硅体的所述顶表面之间的所述介质层的第二区域具有第二厚度，所述第一厚度与所述第二厚度不同，其中所述硅体与所述导电层电隔离。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||