| 发明名称 |
MIS transistors with different gate electrodes or gate oxides and method for manufacturing the same |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP1887619(A3) |
申请公布日期 |
2011.03.23 |
| 申请号 |
EP20070113682 |
申请日期 |
2007.08.02 |
| 申请人 |
PANASONIC CORPORATION |
发明人 |
HIRASE, JUNJI;SATO, YOSHIHIRO |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/8238 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
