| 发明名称 | 贴合基板的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造贴合基板的方法，所述基板在整个基板表面、特别是贴合终端部附近具有良好的薄膜。第二基板上具有薄膜的贴合基板的制造方法至少包含以下工序：在作为半导体基板的所述第一基板的表面，通过注入氢离子和/或稀有气体离子形成离子注入层的工序；对所述第一基板的离子注入面及所述第二基板的贴合面中的至少一面施以表面活化处理的工序；在湿度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的气氛中，将所述第一基板的离子注入面和所述第二基板的贴合面进行贴合的贴合工序；将所述第一基板在所述离子注入层分离，以使所述第一基板薄膜化的剥离工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101990697A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200980112677.1 | 申请日期 | 2009.04.10 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社 | 发明人 | 飞坂优二;久保田芳宏;伊藤厚雄;田中好一;川合信;秋山昌次;田村博 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 张淑珍;王维玉 |
| 主权项 | 一种制造贴合基板的方法，其特征在于，使第一基板和第二基板贴合，将所述第一基板进行薄膜化，所述第二基板上具有薄膜的贴合基板的制造方法，所述方法至少包含以下工序：在作为半导体基板的所述第一基板的表面，通过注入氢离子和/或稀有气体离子形成离子注入层的工序；对所述第一基板的离子注入面及所述第二基板的贴合面中的至少一面施以表面活化处理的工序；在湿度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的气氛中，将所述第一基板的离子注入面和所述第二基板的贴合面进行贴合的贴合工序；将所述第一基板在所述离子注入层分离，以使所述第一基板薄膜化的剥离工序；通过上述方法制造所述第二基板上具有薄膜的贴合基板。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||