一种沟槽MOSFET的制造方法

摘要

本发明公开了一种沟槽MOSFET结构与其制造方法，与现有技术中沟槽MOSFET源区的形成方法不同，该结构的源区是由在源体接触沟槽的开口处进行源区多数载流子的离子注入和扩散形成，使得源区多数载流子的浓度分布沿外延层表面方向从源体接触沟槽向沟道区呈现高斯分布，且源区的结深从源体接触沟槽向沟道区逐渐变浅。采用本发明的该结构的沟槽MOSFET器件具有较现有技术更好的雪崩击穿特性，并且相应地在制造过程中，本发明公开了一种只需要使用三次掩模板的制造方法，大大减少了生产成本。

主权项

一种沟槽MOSFET的制造方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上形成第一导电类型的外延层，该外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；在所述外延层上提供第一层掩模板并刻蚀该外延层，形成位于有源区的多个第一沟槽、位于栅金属下方的第二沟槽和位于终端区的多个第三沟槽，所述沟槽中衬有第一绝缘层并填充导电区域，所述导电区域靠近第一绝缘层；在所述外延层的上部分形成第二导电类型的体区；在所述外延层之上形成第二绝缘层并在该第二绝缘层之上提供第二层掩模板，利用该第二层掩模板定义的源体接触沟槽和栅接触沟槽，将所述接触沟槽分别刻蚀至外延层的上表面；在所述体区上部分形成第一导电类型的源区，包括通过所述接触沟槽进行源区多数载流子的离子注入和扩散，该源区的多数载流子浓度高于所述外延层，且其浓度沿所述外延层表面从源体接触沟槽向沟道区呈现高斯分布，该源区的结深从源体接触沟槽向沟道区逐渐变浅；将所述源体接触沟槽刻蚀至穿过所述源区，并延伸入所述体区，将所述栅接触沟槽刻蚀至延伸入所述第二沟槽中的导电区域；形成沟槽源体接触区和沟槽栅接触区；和在所述第二绝缘层以及所述沟槽源体接触区和沟槽栅接触区上方提供金属层，并利用第三层掩模板分别形成源金属层和栅金属层。