| 发明名称 | 一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法，属于半导体存储器技术领域。该方法通过在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层，使电阻随机存储器的数据保持能力大大提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101989644A | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200910055813.X | 申请日期 | 2009.07.31 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 林殷茵;万海军;周鹏;吕杭炳 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 一种提高电阻随机存储器数据保持能力的方法，所述电阻随机存储器包括下电极、金属氧化物存储介质层、上电极，其特征在于，在所述电阻随机存储器的电极和金属氧化物存储介质层之间插入介质薄膜层。 | ||
| 地址 | 200433 上海市邯郸路220号 | ||