一种高亮度发光二极管晶粒

摘要

本实用新型涉及半导体制备技术领域，提供一种具有新型结构的高亮度发光二极管晶粒，包括P面电极层、P型掺杂层、N型掺杂层、衬底层和N面电极层，其所述P型掺杂层的正面设有粗化结构。本实用新型利用化学腐蚀等方法使P型掺杂层形成正面粗化的结构，减少了全内反射的光，增加了发光区的面积，从而提升了出光效率，提高了发光二极管的发光亮度。

主权项

一种高亮度发光二极管晶粒，包括P面电极层、P型掺杂层、N型掺杂层、衬底层和N面电极层，其特征在于：在P型掺杂层的正面设有粗化结构。