| 发明名称 | 等离子体反应腔室预处理方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体反应腔室预处理方法，利用所述反应腔室对引入其中的基底执行处理操作之前，还包括：将表面具有有机膜层的载片置于所述反应腔室；向所述反应腔室中通入离子化的氟碳气体，所述氟碳气体的氟碳比例小于或等于2∶1；将所述载片移出所述反应腔室。可减少所述弧光放电现象的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN101643895B | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200810117724.9 | 申请日期 | 2008.08.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 王新鹏;孙武;尹晓明;张海洋 |
| 分类号 | C23C16/44(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01J37/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种等离子体反应腔室预处理方法，其特征在于，利用所述等离子体反应腔室对引入其中的基底执行处理操作之前，还包括：将表面具有有机膜层的载片置于所述等离子体反应腔室；向所述等离子体反应腔室中通入离子化的氟碳气体，所述氟碳气体的氟碳比例小于或等于2∶1；所述氟碳比例为氟离子和碳离子的摩尔比，所述氟碳气体为至少包含氟和碳的气体；将所述载片移出所述等离子体反应腔室。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 | ||