一种双向触发二极管芯片的制备方法

摘要

一种双向触发二极管芯片的制备方法，涉及一种半导体器件的制造技术领域，本发明中包括如下工艺步骤：硅片清洗、一次扩散、二次清洗、二次扩散、一次光刻、台面成型、玻璃钝化、二次光刻、两面镀膜、三次光刻、四次光刻，最后划成独立的芯片。本发明产品的击穿电压可以根据用户的要求进行调节，调整范围大；产品可采用多种封装形式，以满足不同用户和不同线路的要求；采用第四次光刻工艺，提高了产品的可靠性；可用于4英寸硅片生产，提高了生产效率，产品的成品率高。

主权项

一种双向触发二极管芯片的制备方法，其特征在于采用洁净的电阻率为10～20Ω.cm的高电阻率的双面抛光P‑型单晶硅经以下工艺步骤制成：1)一次扩散：在P‑型单晶硅的正反两面同时完成P型半导体杂质的扩散，形成P/P‑/P结构；2)清洗硅片；3)二次扩散：在P/P‑/P结构硅片的正反两面同时完成N型半导体杂质的扩散，形成N+/P/P‑/P/N+结构；4)在N+/P/P‑/P/N+结构硅片的正反两面同时光刻台面槽窗口，并台面成型，玻璃钝化；5)在N+/P/P‑/P/N+结构硅片的正反两面同时光刻引线孔窗口，并镀膜；6)在N+/P/P‑/P/N+结构硅片的正反两面同时光刻金属膜，便于电极引出；7)在N+/P/P‑/P/N+结构硅片的正反两面同时光刻划片槽，并去除玻璃层；8)将N+/P/P‑/P/N+结构硅片划成独立的芯片。