一种可提高交换偏置场大小和增强交换偏置稳定性的合金薄膜及其制备方法

摘要

本发明属于磁电子学和磁性超薄膜材料技术领域，具体涉及一种可提高交换偏置场大小和增强交换偏置稳定性的合金薄膜及其制备方法。本方法不同于传统的单一反铁磁材料生长，或常规的原子替位的掺杂生长。使用MgO与FeMn共溅的方法，使反铁磁层形成非原子替位的颗粒膜。由此完成的交换偏置双层膜样品可显著提高交换偏置场并且减小磁锻炼效应，增强稳定性。这种独特的掺杂方法有助于进一步提高交换偏置场和增强交换偏置和自旋阀样品的热稳定性。

主权项

一种可提高交换偏置场大小和增强交换偏置稳定性的合金薄膜，其特征在于，其结构为，在玻璃或单晶硅或碳化硅的衬底上，从下至上依次为3～9nm的铜膜，3～9nm的镍铁膜，2～15nm铁锰氧化镁膜和6～9nm的金膜，其中，铁锰氧化镁膜的成分为FeMn(1‑x)MgO(x)，x是氧化镁在铁锰氧化镁中的掺杂体积比为0.01～0.025。