发明名称 |
CoolMOS的纵向区的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种CoolMOS的纵向区的制造方法,将CoolMOS的纵向区分为两部分,先采用一次或多次外延生长+离子注入工艺制造一部分高度的纵向区,再采用外延生长+沟槽刻蚀+外延淀积填充工艺制造剩余部分高度的纵向区,最终形成完整高度的纵向区。在此基础上制造多晶硅栅结构、体注入、源注入最终形成CoolMOS器件。本发明具有较高的工艺效率,且纵向区中不会存在空洞。 |
申请公布号 |
CN101989553A |
申请公布日期 |
2011.03.23 |
申请号 |
CN200910057736.1 |
申请日期 |
2009.08.07 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
刘远良;张帅 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
顾继光 |
主权项 |
一种CoolMOS的纵向区的制造方法,其特征是,包括如下步骤:第1步,采用外延工艺,在硅衬底上生长一层外延层;第2步,采用光刻工艺,在外延层上定义出离子注入窗口,离子注入窗口的位置就是CoolMOS的纵向区的位置;第3步,采用离子注入工艺,在离子注入窗口中注入杂质,形成纵向区;重复上述第1‑3步,直至外延层达到厚度a’,此时形成的外延层总和为第一外延层,形成的纵向区总和为第一纵向区;第一纵向区的底部在外延层下表面或更上方;第4步,采用外延工艺,在硅衬底上生长一层第二外延层,第二外延层的厚度为b,a’+b为CoolMOS器件要求的外延层的厚度;第5步,采用光刻和刻蚀工艺,在第二外延层中刻蚀出沟槽,沟槽的位置就是纵向区的位置,沟槽的底部在第一纵向区上表面或更下方;第6步,在沟槽中采用外延工艺淀积单晶硅,将沟槽填充,形成第二纵向区,第二纵向区与剩余的第一纵向区的总高度为CoolMOS器件要求的纵向区的高度。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |