发明名称 |
MIM电容器及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及一种MIM电容器的制作方法,包括如下步骤:准备基底,该基底具有顶部和向外凸出的侧部;在基底顶部形成下极板金属;在基底顶部与侧部形成电介质层,该电介质层覆盖下极板金属;在电介质层上形成过渡层,该过渡层具有增强电介质层与上极板金属粘接力的作用;采用化学机械平坦化工艺去除基底顶部的过渡层,出露电介质层,保留基底侧部的过渡层;在出露的电介质层和过渡层上形成上极板金属。由于上述技术方案的实施,使得上极板金属与电介质层之间连接牢固,上极板金属不会发生剥落现象,能够提高MIM电容器的良率;并且,由于特殊工艺的采用,电容器的性质不受影响。 |
申请公布号 |
CN101989620A |
申请公布日期 |
2011.03.23 |
申请号 |
CN200910055902.4 |
申请日期 |
2009.08.04 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
叶菁;王奇峰 |
分类号 |
H01L29/92(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/92(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种MIM电容器,包括基底,所述的基底具有顶部和向外凸出的侧部,还包括形成在基底顶部的下极板金属、形成在基底顶部和侧部的电介质层、形成在电介质层上的上极板金属,所述的电介质层覆盖下极板金属,其特征在于:位于基底侧部的电介质层与上极板金属之间还形成有用于提高二者粘接力的过渡层。 |
地址 |
201203 上海市张江路18号 |