| 发明名称 | 一种调控巴氏杆菌发育繁殖的方法及其应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种调控巴氏杆菌发育的方法及应用。该方法是将巴氏杆菌在大于等于8℃，小于20℃的温度范围内进行培养。本发明方法通过调节温度控制了巴氏杆菌的发育，克服了体外培养获得菌丝体困难、繁琐的问题，从材料方面保证了体外培养的顺利开展，既节省了每次准备接种材料的大工作量又有效地解决了活体扩繁接种材料所需空间大的问题。利用本发明方法可保存巴氏杆菌约30天，经本发明方法调控的巴氏杆菌转移到正常条件下后，菌丝体的活力没有改变，当有效积温达到400℃后，菌丝体可以发育形成孢子，且不会影响孢子的产量和质量。本发明方法还适用于巴氏杆菌属其它种巴氏杆菌的发育调控及保存，同样适用于人工培养基中巴氏杆菌的发育调控及保存。 | ||
| 申请公布号 | CN101580811B | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200910087894.1 | 申请日期 | 2009.06.25 |
| 申请人 | 中国农业大学 | 发明人 | 简恒;卜祥霞;陈忠孝;何强;刘倩 |
| 分类号 | C12N1/20(2006.01)I;C12N1/04(2006.01)I;C12R1/01(2006.01)N | 主分类号 | C12N1/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅;任凤华 |
| 主权项 | 一种调控穿刺巴氏杆菌(Pasteuria penetrans)或巴氏杆菌Pasteuria nishizawae发育繁殖的方法，是将其在大于等于8℃，小于20℃的温度范围内进行培养；所述穿刺巴氏杆菌(Pasteuria penetrans)是通过离心将其孢子附着在根结线虫(Meloidogyne spp.)上并侵染到根结线虫(Meloidogyne spp.)体内14‑21天后得到的，所述巴氏杆菌Pasteuria nishizawae是通过离心将其孢子附着在胞囊线虫(Heterodera spp.)上并侵染到胞囊线虫(Heterodera spp.)体内14‑21天后得到的。 | ||
| 地址 | 100094 北京市海淀区圆明园西路2号 | ||