制造器件的方法

摘要

本发明涉及制造器件的方法。提供了一种使用一系列退火处理制造器件的方法。更具体地，示出并描述了使用低温退火以消除位错缺陷而制造的逻辑NFET器件、制造NFET器件和设计结构的方法。所述方法包括在栅极结构之上形成应力衬里和对所述栅极结构和应力衬里进行低温退火处理，以在所述栅极结构附近的单晶硅中形成堆垛力作为记忆应力效应的手段。所述方法还包括从所述栅极结构剥离所述应力衬里和对器件进行高温下的激活退火。

主权项

一种制造器件的方法，包括以下步骤：在栅极结构之上形成应力衬里；对所述栅极结构和应力衬里进行低温退火处理以形成堆垛力；从所述栅极结构剥离所述应力衬里；以及对所述栅极结构进行激活退火。