| 发明名称 | 改进的用于CMP后清洗的酸性化学处理剂 | ||
| 摘要 | 本公开内容讨论半导体器件生产过程中对晶片进行化学机械平坦化(CMP)处理后清洗半导体晶片的方法。公开一种用于CMP后清洗含金属、特别是铜互连线的晶片的酸性化学处理剂。在不显著侵蚀金属、不在表面留下沉积物或不给晶片带来大量有机(如碳)污染物的条件下从晶片表面移出淤浆颗粒、特别是铜或其它金属颗粒，同时还能保护金属不被氧化和侵蚀。此外，存在至少一种强螯合试剂来将金属离子络合到溶液中，促使金属从电介质移出，并避免再沉积到晶片上。使用酸性化学处理剂能够使CMP之后所用的清洗溶液的pH与晶片表面所用的最后浆液相匹配。 | ||
| 申请公布号 | CN1914309B | 申请公布日期 | 2011.03.23 |
| 申请号 | CN200580004044.0 | 申请日期 | 2005.01.24 |
| 申请人 | 液体空气乔治洛德方法利用和研究的具有监督和管理委员会的有限公司 | 发明人 | M·L·菲施尔;A·米斯拉 |
| 分类号 | C11D11/00(2006.01)I;C11D3/20(2006.01)I;C11D3/33(2006.01)I;C11D3/28(2006.01)I;C11D7/26(2006.01)I;C11D7/32(2006.01)I;C11D3/22(2006.01)I;C11D3/34(2006.01)I;C11D7/34(2006.01)I | 主分类号 | C11D11/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 孙爱 |
| 主权项 | 一种半导体工件的酸性pH清洗组合物，该组合物包括：清洗剂，所述清洗剂是柠檬酸铵；和抗侵蚀化合物，其中所述抗侵蚀化合物是抗坏血酸和巯基丙氨酸。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||