发明名称 |
大尺寸蓝宝石晶体制备工艺及其生长装置 |
摘要 |
本发明涉及一种大尺寸蓝宝石晶体制备技术及其生长装置,所述制备技术包括如下步骤:(1)将称量好的高纯三氧化二铝装入钼坩埚中,抽真空至炉内气压小于10 -3Pa时,充保护气氛,炉压为-90~+20kPa;(2)加热至原料充分熔化,恒温3~5h;(3)籽晶下保温下降15-120mm,然后钼坩埚下降,下降距离为坩埚的高度;(4)炉内温度降至1600~1750℃;(5)钼坩埚回升至加热区,恒温100-150h;缓慢降温至室温。采用本发明技术,具有装置结构简单、制造成本低,制备技术稳定性好、过程可靠、气泡易排除、成品率高的特点,可生长出大尺寸、位错密度小的高质量的蓝宝石单晶体。 |
申请公布号 |
CN101323978B |
申请公布日期 |
2011.03.23 |
申请号 |
CN200810045666.3 |
申请日期 |
2008.07.29 |
申请人 |
成都东骏激光股份有限公司 |
发明人 |
王国强;周世斌;邱一豇;肖兵 |
分类号 |
C30B29/20(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/20(2006.01)I |
代理机构 |
成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 |
代理人 |
彭立琼 |
主权项 |
一种大尺寸蓝宝石晶体制备工艺,其特征在于:包括如下步骤:(1)将称量好的纯度≥99.995%的三氧化二铝装入钼坩埚中,抽真空至炉内气压小于10‑3Pa,充保护气氛至炉压为‑90~+20KPa;(2)加热升温,升温速率500W~1000W/h,至原料充分熔化后,恒温3~5h,在原料融化阶段,籽晶下保温封堵坩埚下保温托的通孔,确保钼坩埚籽晶处的保温效果使籽晶融化;(3)炉膛内的籽晶下保温下降15‑120mm,然后钼坩埚下降,下降距离为坩埚的高度,下降速率0.5~3.0mm/h,使坩埚下保温托的通孔打开,下部的较冷空气进入孔内,给籽晶管内的籽晶起到一个降温的作用,为晶体生长提供足够的温度梯度;(4)降温,炉内温度降至1600~1750℃,降温速率为100W~300W/h;(5)钼坩埚回升至加热区,原位退火,1600~1750℃恒温100‑150h;(6)缓慢降温至室温,降温速率50W~100W/h,继续通循环冷却水24~36h,取出晶体。 |
地址 |
611630 四川省成都市蒲江县鹤山镇工业开发区 |