发明名称 大尺寸蓝宝石晶体制备工艺及其生长装置
摘要 本发明涉及一种大尺寸蓝宝石晶体制备技术及其生长装置,所述制备技术包括如下步骤:(1)将称量好的高纯三氧化二铝装入钼坩埚中,抽真空至炉内气压小于10 -3Pa时,充保护气氛,炉压为-90~+20kPa;(2)加热至原料充分熔化,恒温3~5h;(3)籽晶下保温下降15-120mm,然后钼坩埚下降,下降距离为坩埚的高度;(4)炉内温度降至1600~1750℃;(5)钼坩埚回升至加热区,恒温100-150h;缓慢降温至室温。采用本发明技术,具有装置结构简单、制造成本低,制备技术稳定性好、过程可靠、气泡易排除、成品率高的特点,可生长出大尺寸、位错密度小的高质量的蓝宝石单晶体。
申请公布号 CN101323978B 申请公布日期 2011.03.23
申请号 CN200810045666.3 申请日期 2008.07.29
申请人 成都东骏激光股份有限公司 发明人 王国强;周世斌;邱一豇;肖兵
分类号 C30B29/20(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 主分类号 C30B29/20(2006.01)I
代理机构 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人 彭立琼
主权项 一种大尺寸蓝宝石晶体制备工艺,其特征在于:包括如下步骤:(1)将称量好的纯度≥99.995%的三氧化二铝装入钼坩埚中,抽真空至炉内气压小于10‑3Pa,充保护气氛至炉压为‑90~+20KPa;(2)加热升温,升温速率500W~1000W/h,至原料充分熔化后,恒温3~5h,在原料融化阶段,籽晶下保温封堵坩埚下保温托的通孔,确保钼坩埚籽晶处的保温效果使籽晶融化;(3)炉膛内的籽晶下保温下降15‑120mm,然后钼坩埚下降,下降距离为坩埚的高度,下降速率0.5~3.0mm/h,使坩埚下保温托的通孔打开,下部的较冷空气进入孔内,给籽晶管内的籽晶起到一个降温的作用,为晶体生长提供足够的温度梯度;(4)降温,炉内温度降至1600~1750℃,降温速率为100W~300W/h;(5)钼坩埚回升至加热区,原位退火,1600~1750℃恒温100‑150h;(6)缓慢降温至室温,降温速率50W~100W/h,继续通循环冷却水24~36h,取出晶体。
地址 611630 四川省成都市蒲江县鹤山镇工业开发区