半导体装置及其制造方法

摘要

具备具有第一半导体层的p型TFT和具有第二半导体层的n型TFT，在第一半导体层的外侧边缘部分的至少一部分上形成有向绝缘性基板侧锥状扩大的倾斜部，在第一半导体层的内侧形成的、倾斜部表面相对于绝缘性基板的表面的倾斜角度小于在第二半导体层的内侧形成的、第二半导体层的外侧边缘部分侧面相对于绝缘性基板的表面的角度。

主权项

一种半导体装置，具备：绝缘性基板；p型薄膜晶体管，其形成在上述绝缘性基板上，具有第一半导体层；以及n型薄膜晶体管，其形成在上述绝缘性基板上，具有第二半导体层，所述半导体装置的特征在于：在上述第一半导体层的外侧边缘部分的至少一部分上形成向上述绝缘性基板侧锥状扩大的倾斜部，上述倾斜部表面相对于上述绝缘性基板的表面的倾斜角度中形成在上述第一半导体层的内侧的角度，小于上述第二半导体层的外侧边缘部分侧面相对于上述绝缘性基板的表面的角度中形成在上述第二半导体层的内侧的角度。