发明名称 |
铝基封装大功率双向可控硅 |
摘要 |
本实用新型涉及一种铝基封装大功率双向可控硅,具有铝基板,所述的铝基板上绝缘设置有覆铜板,所述的覆铜板上焊接有两个并联连接的双向可控硅,两个双向可控硅通过本体引出第一外电极,通过上电极引出第二外电极,通过门极跳线引出第三外电极,所述的铝基板上通过环氧树脂灌封有封装双向可控硅的PBT塑壳。本实用新型适用功率不低于同类产品,不仅热阻低,损耗小,而且生产工艺简单,周期短,生产成本显著降低。 |
申请公布号 |
CN201774511U |
申请公布日期 |
2011.03.23 |
申请号 |
CN201020269560.4 |
申请日期 |
2010.07.22 |
申请人 |
江苏矽莱克电子科技有限公司 |
发明人 |
沈富德 |
分类号 |
H03K17/72(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/72(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
路接洲 |
主权项 |
一种铝基封装大功率双向可控硅,其特征在于:具有铝基板(1),所述的铝基板(1)上绝缘设置有覆铜板,所述的覆铜板上焊接有两个并联连接的双向可控硅(2),两个双向可控硅(2)通过本体引出第一外电极(61),通过上电极(3)引出第二外电极(62),通过门极跳线(4)引出第三外电极(63),所述的铝基板(1)上通过环氧树脂灌封有封装双向可控硅(2)的PBT塑壳(5)。 |
地址 |
213024 江苏省常州市钟楼区西林街道富林路15号 |