| 发明名称 |
GATED LATERAL THYRISTOR-BASED RANDOM ACCESS MEMORY (GLTRAM) CELLS WITH SEPARATE READ AND WRITE ACCESS TRANSISTORS, MEMORY DEVICES AND INTEGRATED CIRCUITS INCORPORATING THE SAME |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP2297738(A1) |
申请公布日期 |
2011.03.23 |
| 申请号 |
EP20090758696 |
申请日期 |
2009.05.28 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC. |
发明人 |
CHO, HYUN-JIN |
| 分类号 |
G11C11/39;H01L27/06;H01L27/102 |
主分类号 |
G11C11/39 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
