低损耗高频介质陶瓷及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低损耗高频介质陶瓷及其制备方法，其组成及摩尔百分比含量为：xCaO-(1-x)ZnO-Nb2O5-ySnO2-(2-y)TiO2，其中0≤x≤0.16，0≤y≤0.1。制备步骤为：(1)配料、球磨；(2)烘干、预烧、合成前驱体；(3)造粒、压制成型(4)烧成。本发明提供了一种制备工艺简单、烧结温度低(1100℃以下)、介电损耗低、介电常数相对较高、同时保持了优异的介电性能的高频介质陶瓷，应用于电子信息材料与元器件领域。

主权项

一种低损耗高频介质陶瓷，其特征在于，以ZnO‑Nb2O5‑2TiO2为基料，SnO2和CaO为添加剂，按配方通式：xCaO‑(1‑x)ZnO‑Nb2O5‑ySnO2‑(2‑y)TiO2配料，其中0＜x≤0.16，0＜y≤0.1；其制备方法为：(1)将原料ZnO、Nb2O5和TiO2按配方通式xCaO‑(1‑x)ZnO‑Nb2O5‑ySnO2‑(2‑y)TiO2进行配料，其中0＜x≤0.16，0＜y≤0.1；按混合原料∶去离子水∶锆球的质量比为1∶1∶2.5的比例加入球磨罐中，在球磨机上球磨24～30小时；(2)将球磨后的原料于干燥箱中烘干，然后于900℃预烧3～6小时合成前驱体；(3)在上述前驱体中加入质量百分比为5～8％的石蜡作为粘合剂进行造粒，过筛后，再用粉末压片机以6～10MPa的压力压成生坯；(4)将生坯于1040～1100℃烧结，保温3～6小时。