碳化硅半导体结构、器件及其制作方法

摘要

提供包括碳化硅(SiC)的半导体结构(100)和器件以及用于制作其的方法。该结构(100)和器件包括基底或屏蔽层(116)、沟道(118)和表面层(120)，它们都可取地通过离子注入形成。因此，本发明提供的结构和器件是硬“常截止”器件，即，呈现大于大约3伏特的阈值电压。

主权项

一种碳化硅半导体FET结构(100)，其包括具有第一导电类型的漂移层(112)、在所述漂移层内具有第二导电类型的离子注入基底或屏蔽结构、在所述基底或屏蔽结构(116)内的第一导电类型的离子注入沟道(118)和覆盖在所述基底或屏蔽结构(116)的至少一部分上面的第二导电类型的离子注入表面层(120)。