小闪光场、零偏置和非反应离子研磨的集成

摘要

本发明提供一种制造磁写头的方法，其提供改善的极临界尺寸控制例如改善的道宽控制(改善的西格玛)和改善的展开点控制。该方法包括几种工艺改进的结合，例如使用零印偏置光刻构图P2极尖定义光致抗蚀剂框架以及还使用小闪光场。该方法还包括非反应离子蚀刻的使用从而利用第二极(P2)作为掩模对第一极(P1)开切口。

主权项

一种在晶片上制造磁写头的方法，包括：提供晶片；在所述晶片上沉积第一磁层；在所述第一磁层上沉积非磁间隙层；在所述非磁间隙层上沉积光敏膜层；及光刻构图所述光敏膜层，从而在所述光敏膜层中形成所需图案，所述图案包括形成在所述光敏膜层中的槽，所述光敏膜层的光刻构图通过包括光源、掩模和透镜的设备进行，且其中：所述掩模构图为具有有效掩模区域从而在光步骤期间在所述晶片上定义小闪光场；且所述设备聚焦为以具有零印偏置的图案来构图所述晶片；沉积第二磁层到形成在所述光敏膜层中的所述槽中；去除所述光敏膜层；及进行非反应离子研磨。